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IRF7233
V G S = 0V,
C iss = C g s + C g d d s SH ORTE D
C o ss d s + C g d
6000
C rss = C g d
=C
f = 1kHz
, C
10
8
I D = -9.5A
V DS =-10V
5000
C iss
6
4000
4
3000
C o ss
C rss
2
2000
0
2
4
6
8
10
12
A
0
0
10
20
30
40
50
60
70
100
-V D S , D rain-to-So urc e Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 C
10
T J = 25°C
10
T A = 25 ° C
°
100us
1ms
10ms
1
V G S = 0V
A
1
Single Pulse
0.0
1.0
2.0
3.0
0.1
1
10
100
4
-V S D , S ou rce-to-D ra in Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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